Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства чипов компьютерной памяти нового типа - с изменением фазы (PRAM). Они сохраняют информацию путем расплавления и затвердевания крошечных кристаллов. Ячейки PRAM основаны на кусочках полупроводника микроскопических размеров, уточняет сетевой журнал "Мембрана". При записи информации они очень быстро переходят из кристаллической фазы в аморфную и обратно. Смена состояния достигается при помощи электрического импульса. Фазы сильно различаются по сопротивлению и могут быть интерпретированы как нули и единицы. Само пребывание в той или иной фазе энергии не требует. Быстродействие PRAM зависит лишь от того, сколько времени требуется для расплавления и последующей заморозки кристалла.
Разработчик утверждает, что PRAM производит стирание ячеек почти в десять раз быстрее, чем современные виды флеш-памяти, а темп перезаписи информации превышает показатель флешек в семь раз. В одном из недавних экспериментов, проведенном Манфредом Вуттигом из Берлинского технологического университета, ученые испытывали ячейки PRAM диаметром всего в 20 нанометров. В этих клетках переход между состояниями совершался всего за 16 наносекунд - быстрее любой существующей на сегодняшний день технологии.